SW C 1N70A 通过SAMSUNG品质认证

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2008年7月，SAMWIN生产的SW C 1N70A MOSFET通过SAMSUNG严格的品质认认证，并批量应用于国际品牌手机充电器中。SW C 1N70A为N沟道MOSFET，VDSS大于700V，RDON典型值12.5Ω，Qg典型值8nC，具有开关频率快，功耗小，EMI特性好等优点，非常适用于小功率手机充电器。